型号:

DMN4060SVT-7

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
详细参数
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产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN4060SVT-7 PDF
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 46 毫欧 @ 4.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1287pF @ 25V
功率 - 最大 1.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装 TSOT26
包装 标准包装
其它名称 DMN4060SVT-7DIDKR
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